一、产品概述中国北京（2025年4月15日）—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快
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兆易创新 GD5F1GM9 QSPI NAND Flash CES 2026
在供应紧张引发全球记忆价格飙升的背景下，另一家主要组件制造商警告即将上调价格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston数据中心SSD业务经理Cameron Crandall的言论指出，NAND价格自2025年1月以来已上涨246%，随着短缺加剧，未来30天内可能进一步攀升。在报道引用的《The Full Nerd Network》采访中，Crandall指出，近70%的NAND价格急剧飙升发生在过去60天内。由于NAND约占SSD成本结构的90%，他表示金斯顿几乎没
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NAND 存储
据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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长江存储 3D NAND 闪存 存储器
研究人员展示了基于FeFET的三维NAND电池，其通电电压接近零，每个单元最多可达五位。三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管——由三星先进技术研究院的研究人员完成，发表在《自然》期刊上。 该书描述了一种面向未来3D NAND的铁电场效应晶体管（FeFET）设计，结合了基于哈夫尼亚的铁电体和氧化物半导体通道，并引入了近乎零的通电压作，构成了96%功率降低的基础。在现代NAND中，每当读取或编程单元时，贯穿
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NAND 三星 存储技术 FeFET
三星研究人员发布了一份详细的NAND实验性架构报告，旨在将该技术最大的功耗之一减少多达96%。这项工作——用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管——由三星先进技术研究院的研究人员完成，发表在《自然》期刊上。 该书描述了一种面向未来3D NAND的铁电场效应晶体管（FeFET）设计，结合了基于哈夫尼亚的铁电体和氧化物半导体通道，并引入了近乎零的通电压作，构成了96%功率降低的基础。在现代NAND中，每当读取或编程单元时，贯穿每条垂直字符串的字线堆栈必须带有通行电压。随着层数增加，开销也随之增加，由于层
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三星 铁电晶体管 低功耗 NAND
在内存供应紧张和价格飙升给行业压力的情况下，据ETNews和News 1报道，三星开发出了一种NAND闪存技术，能够降低90%以上的功耗，预计将提升AI数据中心、移动设备及广泛应用的能效。据报道，11月27日，SAIT（前三星先进技术研究院）宣布将在《自然》杂志上发表其关于新型NAND闪存结构的研究，以显著提升能源效率。据ETNews报道，三星首次在全球范围内发现了将氧化物半导体与铁电结构结合的关键机制，从而将功耗降低了多达96%。正如报告所述，传统NAND闪存存储数据为注射电子进入每个细胞。因此，为了提
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NAND 闪存 SAIT
AI算力需求爆炸，海量数据频繁调动，致使存储行业变得愈发重要。无论是当下的生成式AI，还是即将到来的AI智能体、端侧AI，高性能、高密度、高能效存储解决方案都将作为可靠的硬件基础，进而解决数据中心、AI训练推理以及移动设备在数据存储与访问的瓶颈问题。在众多存储技术发展路径中，铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术为行业提供了大量支持，也是高性能存储中，不可缺少的关键角色。铠侠作为闪存技术的发明者，秉承着Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶
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在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存 （HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的内存领域：高带宽存储 （HBS）。正如 ETnews 报道的那样，哈佛商学院将移动 DRAM 和 NAND 相结合，以提高智能手机、平板电脑和其他移动设备的 AI 性能。报告援引消息人士解释说，SK海力士正在将低功耗宽I/O DRAM与NAND堆叠在一起，以创建HBS，它可以堆叠多达16层
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SK海力士 高带宽 存储堆叠 NAND DRAM
AI服务器推动储存需求爆发，传统硬盘（HDD）持续大缺货，据悉，交付期限已延长至2年以上，北美及中国云端服务（CSP）大厂「紧急加单」，采购大容量企业级固态硬盘（SSD）。 部分原厂2026年QLC NAND Flash产能也被提前抢购一空，业界预期，最快在2027年，全球QLC位可能超车TLCNAND。AI发展重点转向推论，依赖高效能及大容量储存装置，北美多个数据中心陆续建设落成，CSP大厂迫切需要高容量储存装置供应配合，但传统近线储存（Nearline Storage）首选的HDD产能受限，无法快速承
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AI的计算、数据传输与存储已经成为当下数据中心和服务器端最为关注的问题之一。在有限的空间和成本内如何实现更高的收益，如何让存储方案给计算单元提供充足的数据支持，加速数据交换，节省电力和散热成本都值得探讨，其中就包括闪存技术如何扮演起关键角色。闪存技术最初被广泛应用在消费级产品中，旨在缩小存储方案占用空间、提升性能。随着闪存技术的不断升级，这项技术已经从成为消费级产品存储主力，并紧接着在网络、云计算的企业级存储中提供高速的数据存取支持。如今数据存储正在迈向AI时代，通过大量创新型的存储方案创造更多可能性。例
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总部位于武汉的长江存储科技控股有限责任公司（长存集团）召开股份公司成立大会并选举首届董事会，此举或意味着其股份制改革已全面完成。在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元估值首次入围，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。根据公开信息，2025年4月，养元饮品子公司泉泓、农银投资、建信投资、交银投资、中银资产、工融金投等15家机构同步参与；7月，长存集团新增股东员工持股平台 —— 武汉市智芯计划一号至六号企业管理合伙企业（有限合伙），上述两笔
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存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协商根据市场条件调整价格。在三大巨头中，美光是第一个宣布提价的，据 EE Times China9 月 12 日报道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的价格将上涨 20%-30%，提价不仅涉及消费级和工业级存储，还包括汽车电子，后者的价格涨幅可能达到 70%。行业消息来源还表
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根据韩国媒体《Yonhap Infomax》，日本 NAND 闪存生产商 Kioxia 的股价在 NAND 市场供应短缺的情况下急剧上涨。报道指出，SK hynix——2018 年投资 390 亿韩元入股 Kioxia——在多年等待后现在正实现显著的价值增长。报道指出，截至 16 日，Kioxia 在东京证券交易所的股价在过去一个月内上涨了 70%。随着铠侠股价飙升，作为主要投资者的 SK 海力士也从中受益。据报道，2018 年 SK 海力士投资了 3950 亿日元（约 3.9 万亿韩元）的贝恩资本主导的
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铠侠 NAND 人工智能 SSD
随着全球数据中心部署的加速，云巨头正将其需求从训练 AI 转向推理 AI，推动了对大容量内存需求的持续增长，并导致内存供应紧张从 DRAM 转向 NAND。供应链消息人士透露，在上周闪迪将 NAND 价格上调 10%之后，美光也通知客户将暂停所有产品的价格一周。行业内部人士报告称，美光将从今天开始停止向分销商和 OEM/ODM 制造商报价，涵盖 DRAM 和 NAND 产品，甚至不愿意讨论明年的长期合同。供应链消息人士表示，在审查客户 FCST（需求预测）后，美光发现将面临严重的供应短缺，促使公司紧急暂停
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现在，国产存储芯片龙头长江存储（YMTC）迎来了一个重磅消息。9月5日，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立，注册资本高达207.2亿元人民币，法定代表人为长江存储董事长陈南翔。新公司涵盖集成电路制造、设计、销售及芯片产品进出口，并涉及技术服务、货物进出口、技术进出口等全链条业务，引起了业内广泛关注。股权结构方面，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司由长江存储科技有限责任公司与湖北长晟三期投资发展有限责任公司共同持股 —— 长江存储科技有限责任公司持股比例为50.19%、认缴104亿元；湖北长
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